三星加速第七代HBM研发

据业内人士16日透露，星加三星电子计划下月生产首批HBM4E芯片样品。速第该公司计划在下月中旬之前，星加由其晶圆代工部门生产出HBM4E的速第“大脑”——逻辑芯片样品，该芯片的星加性能相比上一代产品有了显著提升——并将其交付给内存部门。计划是速第将这些样品与HBM4E DRAM封装在一起。据悉，星加三星电子将向英伟达提供经过内部评估并达到预期性能标准的速第样品。

此前，星加三星电子在今年3月举行的速第NVIDIA年度开发者大会“GTC 2026”上展示了HBM4E的实物样品。然而，星加业内普遍认为该产品仅仅是速第用于展示的样品。三星电子似乎尚未生产出能够满足NVIDIA等客户性能要求的星加真正意义上的样品。

三星电子计划加速HBM4E的速第研发，以巩固其在下一代HBM市场的星加领先地位。此前，三星宣布，凭借先进的制造工艺，该公司已成功实现HBM4的量产出货，领先于竞争对手。三星解释说，其在HBM4逻辑芯片和HBM4 DRAM方面均采用了优于竞争对手SK海力士和美光的工艺，从而拥有性能优势。据悉，该公司目前正全力提升盈利能力。

三星电子在HBM4E的逻辑芯片上采用了与HBM4相同的4nm制程工艺，并在DRAM芯片上采用了10nm级第六代（1c）工艺。虽然由于采用了新的工艺细节来提升部分性能，因此并非完全相同的工艺，但与首次在HBM4E中使用先进制程工艺和1c DRAM的竞争对手相比，其技术稳定性被评估为更高。

与此同时，据报道，SK海力士也在全力投入HBM4E的研发。据悉，SK海力士计划将比HBM4先进一代的DRAM应用于HBM4E，并优先考虑在逻辑芯片上应用台积电的3nm工艺。此前，SK海力士在HBM4逻辑芯片上采用了台积电的12nm工艺，在HBM4上则采用了10nm级的第五代（1b）DRAM。虽然当时SK海力士的重点在于利用HBM4成熟的工艺来保证业务稳定性，但该公司似乎已经制定了在HBM4E性能方面取得优势的战略。

一位半导体行业官员表示：“虽然由于英伟达人工智能芯片 Vera Rubin 系列（包括 HBM4 和 HBM4E）的发布略有延迟，三星电子的产量有所调整，但该公司正专注于下一代市场，以避免重蹈上一代市场被竞争对手抢走的覆辙。”

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