三星电子在今年早些时候的消息性 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的称星每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。电计不过业内人士认为那时的划月样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。
与 HBM4 一样，生产首批三星电子的内存 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。样品三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的消息性生产，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。称星
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